治疗白癜风的医院 http://www.t52mall.com/年8月29日，南安市公布《三安半导体研发与产业化项目修建性详细规划》。该项目占地面积达.4㎡（约亩），总建筑面积达㎡。一、规划范围本次用地分为东西两块用地，规划范围东至院前村、科院北路，西至后井水库，南邻规划厦漳泉联盟高速，北以后海路、院前村为界，总用地面积为.06公顷，其中西地块.1公顷，东地块41.1公顷。二、规划定位根据南安市和石井镇相关产业规划，结合区域发展特点，规划将该项目定位为：从上游外延片、芯片到中游封装以及下游应用的光电全产业链，建设一个集生产、研发、综合配套为一体的专业性复合式光电产业园。三、规划规模用地规模：本次规划用地面积为.2公顷，其中生产性设施用地.1公顷，非生产设施占地面积7.1公顷。人口规模：考虑到工业园的主要产业类型为劳动密集型企业，则规划区职工人数为00人。四、功能分区本规划根据不同的功能需求将园区分成“两片九组团”，其中：“两片”：为东西两大片区；“九组团”：为东片区的特种封装区及集成电路区；西片区的配套生活区、衬底生产区、2个测试研发区、特种封装区、氮化镓外延芯片区及砷化镓外延芯片区。五、分期建设规划根据项目实际情况，确定“南北向中间推进”的整体开发建设方向，分三期建设。一期建设：占地面积49.86公顷，建筑面积.43万㎡，一期建设重点项目包括：整体市政道路、氮化镓外延芯片区、砷化镓外延芯片区、测试综合楼、博士后工作站、集成电路区及员工宿舍。二期建设：占地面积13.30公顷，建筑面积40.28万㎡，二期建设重点项目包括：居住区、接待中心、职工活动中心、氮化镓外延芯片区、集成测试楼及集成实验楼。三期建设：占地面积12.61公顷，建筑面积51.11万㎡，三期建设重点项目包括：特种封装区、宿舍区等。
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